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三菱IGBT模塊CM600YE2P-12F/CM600YE2N-12F

三菱IGBT模塊CM600YE2P-12F/CM600YE2N-12F

型    號： CM600YE2P-12F
報    價： 1888
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IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優(yōu)點。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅動電流較大;MOSFET驅動功率很小，開關速度快，但導通壓降大，載流密度小

詳細資料：

北京京誠宏泰科技有限公司原裝正品銷售 安川G7 變頻器IGBT模

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